ddr 3

SEKILAS DDR3 SDRAM


Dalam rekayasa elektronik, DDR3 SDRAM atau double-data-rate tiga sinkron Dynamic Random Access Memory adalah memori akses acak antarmuka teknologi yang digunakan untuk bandwidth yang tinggi penyimpanan data kerja sebuah komputer atau elektronik digital perangkat. DDR3 adalah bagian dari SDRAM keluarga teknologi dan merupakan salah satu dari banyak DRAM (Dynamic Random Access Memory) implementasi.
DDR3 SDRAM adalah perbaikan dari pendahulunya, DDR2 SDRAM, dan kedua tidak kompatibel. Manfaat utama dari DDR3 adalah kemampuan untuk mentransfer data dua kali lipat tingkat DDR2 (I / O pada 8 × data tingkat sel memori yang dikandungnya), sehingga memungkinkan lebih tinggi bis tingkat dan tingkat puncak yang lebih tinggi daripada teknologi memori sebelumnya. Tidak ada yang sesuai pengurangan latency, karena itu adalah suatu fitur dari DRAM array dan tidak antarmuka. [Rujukan?] Di samping itu, standar DDR3 memungkinkan untuk kapasitas chip 512 megabit hingga 8 gigabit, efektif mengaktifkan modul memori maksimum ukuran dari 16 gigabyte.
Dengan data yang ditransfer 64 bit pada satu waktu per modul memori, DDR3 SDRAM memberikan transfer rate (memori clock rate) × 4 (bus clock multiplier) × 2 (untuk data rate) × 64 (jumlah bit yang ditransfer) / 8 (jumlah bit / byte). Jadi memory clock dengan frekuensi 100 MHz, DDR3 SDRAM memberikan maksimum transfer rate 6.400 MB / s.
Harus ditekankan bahwa DRAM DDR3 adalah spesifikasi interface; yang sebenarnya DRAM array yang menyimpan data adalah sama seperti pada jenis lainnya DRAM, dan memiliki kinerja yang serupa.
Memori DDR3 memberikan pengurangan konsumsi daya 30% dibandingkan dengan DDR2 modul karena DDR3's suplai tegangan 1,5 V, dibandingkan dengan DDR2's 1,8 V atau DDR's 2,5 V. tegangan suplai 1,5 V bekerja baik dengan 90 nanometer teknologi fabrikasi yang digunakan dalam asli chip DDR3. Some manufacturers further propose using "dual-gate" transistors to reduce leakage of current. Beberapa pabrik lebih mengusulkan menggunakan "dual-gate" transistor untuk mengurangi kebocoran arus.
Menurut JEDEC tegangan maksimum yang disarankan adalah 1,575 volt dan harus dipertimbangkan absolut memori maksimum ketika stabilitas adalah pertimbangan utama, seperti pada server atau perangkat kritis misi. Selain itu, JEDEC menyatakan bahwa modul memori harus tahan sampai 1,975 volt sebelum menimbulkan kerusakan permanen, meskipun mereka tidak diperlukan untuk berfungsi dengan benar pada tingkat itu.
Manfaat utama dari DDR3 berasal dari bandwidth yang lebih tinggi dimungkinkan oleh DDR3 yang lebar 8-bit prefetch buffer, berbeda dengan DDR2's 4-bit prefetch buffer atau DDR 's buffer 2-bit.
Modul DDR3 dapat mentransfer data dengan laju 800-1.600 MT / s menggunakan kedua naik dan turun tepi sebuah 400-800 MHz I / O clockSebagai perbandingan, DDR2 jangkauan saat ini kecepatan transfer data adalah 400-1.066 MT / s 200-533 MHz menggunakan I / O clock, dan DDR's kisaran 200-400 MT / s didasarkan pada 100-200 MHz I / O clock. Kinerja tinggi grafis adalah sopir awal kebutuhan bandwith tersebut, di mana transfer data bandwidth tinggi antara framebuffer diperlukan.
DDR3 prototipe diumumkan pada awal 2005. Produk dalam bentuk motherboard muncul di pasar pada Juni 2007 didasarkan pada Intel 's P35 "Bearlake" chipset dengan DIMM pada bandwidth hingga DDR3-1600 (PC3-12.800). Intel Core i7, dirilis pada bulan November 2008, terhubung langsung ke memori daripada melalui chipset. The Core i7 hanya mendukung DDR3. AMD 's pertama soket AM3 II Phenom X4 prosesor, dirilis pada Februari 2009, adalah pertama mereka untuk mendukung DDR3.
DDR3 DIMM mempunyai 240 pin, nomor yang sama seperti DDR2, dan ukuran yang sama, tetapi listrik yang tidak kompatibel dan memiliki takik kunci yang berbeda lokasi. DDR3 SO-DIMM memiliki 204 pin.
GDDR3 memori, memiliki nama yang sama tapi karena dari teknologi yang sama sekali berbeda, telah digunakan untuk kartu grafis oleh perusahaan-perusahaan seperti NVIDIA dan ATI Technologies. GDDR3 kadang-kadang telah salah disebut sebagai "DDR3".